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垂直磁性多层膜中自旋相关输运性质及拓扑磁性的研究
2019-11-25 16:08  

报告人:王守国教授

报告时间:2019122日上午9:45

报告地点:材料楼516

报告对象:材料学院及全校感兴趣的师生

主办单位:材料学院

内容简介:

以调控电子自旋本征属性为基础的自旋电子学,是自1988年发现巨磁电阻效应(GMR)以来三十年来凝聚态物理、材料科学和信息科学的研究热点之一。随着隧穿磁电阻效应(TMR)、自旋转移矩效应(STT)、自旋塞贝克效应(Spin Seebeck)、磁性斯格明子(Skyrmions)等新现象、新效应和新结构的发现,自旋电子学材料获得了更加广泛的应用(例如计算机硬盘读写头、磁性随机存储器)。但随着超高磁信息存储技术的发展,自旋电子学也面临着材料和物理等方面的诸多挑战。报告人首先介绍自旋电子学最新进展以及所面临的挑战,主要包括超高存储密度、超高热稳定性以及如何突破二组态存储的技术瓶颈;随后重点介绍本课题组在Fe/MgO/Fe面内磁性隧道结、L10-FePt/MgO/FePt垂直磁性隧道结和[Co/Pt]n/MgO/[Co/Pt]n霍尔天平等体系的研究进展,包括霍尔天平材料中的磁性斯格明子研究;最后介绍利用我国科学家独创的深紫外激光(DUV激光)作为激发源在PEEM系统(简称为DUV-PEEM系统)中开展高分辨磁成像的最新进展。

个人介绍:

王守国,男,安徽舒城人,北京科技大学材料科学与工程学院教授、博士生导师。1996年毕业于安徽大学,获理学学士学位;随后进入中科院固体物理研究所攻读博士学位,师从中国科技大学张裕恒院士(中科院固体物理所兼职教授)。2001年至2007年,先后在新加坡国立大学、德国马克思-普朗克微结构物理研究所和英国牛津大学从事研究工作。2007年底回国,加入中国科学院物理研究所磁学国家重点实验室。20161月,调入北京科技大学材料科学与工程学院。主持的项目主要包括:国家杰出青年基金;基金委重点项目;中科院仪器研制项目;科技部国家重大科学仪器设备开发专项子课题;科技部中国-以色列国际合作项目以及基金委面上项目等。目前担任中国电子学会应用磁学分会副主任委员兼秘书长;中国材料研究学会纳米材料与器件分会副秘书长;中国金属学会功能材料分会副秘书长;中国金属学会材料科学分会常务理事;中国材料研究学会青年工作委员会常务理事等。

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